Estudio de la estabilidad del silicio amorfo con celdas solares tipo Schottky

Abstract

A los efectos de optimizar los espesores de las capas intrínsecas en celdas solares de silicio amorfo dobles o tándem tipo pinpin, contemplando la igualdad de las fotocorrientes y buscando la menor degradación posible por Efecto Staebler- Wronski, se realizó un estudio sistemático bajo iluminación, en dispositivos tipo Schottky, variando sus espesores. Los resultados muestran que con campos eléctricos internos del orden de 10⁴ V/cm, celdas con espesores de 2000 A presentan una degradación mínima al cabo de 24 hs de exposición a la luz. A mayores espesores la corriente de corto circuito es el parámetro que presenta mayor variación.